首页 试题详情
单选题

IGBT比VDMOSFET多一层( )注入区,因而形成了大面积的P+N结。

BP+

正确答案:A (备注:此答案有误)

相似试题

  • 单选题

    IGBTVDMOSFET一层( )注入区,因而形成了大面积的P+N结。

    答案解析

热门题库